2026年4月8日晚，当传统硅基器件的性能逼近物理极限，电力电子系统的下一次技术跃迁将由谁来引领？带着这一问题，电控学院面向电气、自动化等相关专业学生举办了一场题为“第三代半导体器件在现代电力电子系统中的应用”的科技学术讲座，由黄伟义老师主讲。

讲座首先从电力电子技术的发展现状出发，黄伟义指出，传统硅功率器件在高频应用场景中已逐渐暴露出开关损耗大、效率下降等局限性，制约了电力电子系统向更高频率、更高效率方向发展。

随后，黄伟义系统讲解了宽禁带半导体材料的基本特性，并重点对比了氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）两类第三代半导体器件的技术优势。他强调，GaN器件在高频低损耗方面表现突出，SiC器件则在高压大功率场景中更具竞争力，二者正共同推动电力电子系统的技术升级。

在应用分析环节，黄伟义结合高频逆变器、无线电能传输系统及新能源电源等典型场景，深入剖析了第三代半导体器件的实际工程价值，帮助学生理解前沿器件从实验室走向产业落地的技术路径。

讲座最后，黄伟义结合我国第三代半导体产业的发展趋势，就电气工程专业学生在科研学习中应关注的关键技术方向提出了明确建议，鼓励同学们紧跟产业需求，积极开展相关课题研究。

从材料瓶颈到产业机遇，第三代半导体正站在电力电子变革的风口。本次讲座不仅为电控学院学生打开了一扇观察前沿技术的窗口，更在课堂与科研之间架起了一座桥梁，让同学们真切感受到——脚下的专业知识，正是通向未来产业的入场券。